Micron### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
闪存存储器，
得捷:
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
欧时:
### 闪存存储器，Micron### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
艾睿:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
Chip1Stop:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
Verical:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
Win Source:
Parallel NOR Flash Embedded Memory
电源电压DC 2.70V min
供电电流 31 mA
位数 8, 16
存取时间 100 ns
内存容量 64000000 B
存取时间Max 100 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 64
封装 BGA-64
长度 11 mm
宽度 13 mm
高度 1.4 mm
封装 BGA-64
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PC28F512M29EWLA Micron 镁光 | 当前型号 | 当前型号 |
PC28F512M29EWHA 镁光 | 完全替代 | PC28F512M29EWLA和PC28F512M29EWHA的区别 |
PC28F512M29EWHD 镁光 | 完全替代 | PC28F512M29EWLA和PC28F512M29EWHD的区别 |
PC28F512M29EWHB 镁光 | 完全替代 | PC28F512M29EWLA和PC28F512M29EWHB的区别 |