PIC18F23K22-I/SO

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PIC18F23K22-I/SO概述

MICROCHIP  PIC18F23K22-I/SO  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC18F, 64 MHz, 8 KB, 512 Byte, 28 引脚, SOIC

是一款512byte SRAM低功耗高性能, 采用XLP技术。PIC18F23K22系列提供优秀的功能, 适用于多种高性能, 功耗敏感应用。PIC18F23K22系列可提供多种功能, 并大大降低工作功耗。程序存储器和数据EEPROM闪存使用寿命可达数千擦除/写入次数, 10K程序存储器, 100K EEPROM。数据保留可超过40年, 而不需要刷新。该设备可以在内部软件控制下写入其自己的程序存储空间。通过使用程序存储器顶部, 受保护引导块内的引导加载程序, 可以创建自我更新的应用。

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高性能RISC CPU, 结构/指令集, C编译器优化
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采用nanoWatt XLP™, 实现低功耗管理
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灵活的振荡器结构, 两种外部时钟模式 最高64MHz, 故障安全时钟监视器
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模拟 - 模数转换器 ADC模块, 模拟比较器模块
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可在软件控制下自编程
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高/低压检测 HLVD模块 - 高/低压检测中断
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看门狗定时器 WDT - 可编程周期: 4ms至131s
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电路内串行编程™ ICSP™ - 单电源3V
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电路内调试 ICD
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外设: 2个捕获/比较/PWM CCP模块, 35个I/O引脚, 1个输入引脚
PIC18F23K22-I/SO中文资料参数规格
技术参数

频率 64 MHz

电源电压DC 2.30V min

工作电压 2.3V ~ 5.5V

针脚数 28

时钟频率 64.0 MHz

RAM大小 512 b

位数 8

耗散功率 1000 mW

模数转换数ADC 1

输入/输出数 25 Input

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1000 mW

电源电压 1.8V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 28

封装 SOIC-28

外形尺寸

长度 17.9 mm

封装 SOIC-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, 车用, Computers & Computer Peripherals, Automotive, Industrial, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8542310001

数据手册

PIC18F23K22-I/SO引脚图与封装图
PIC18F23K22-I/SO引脚图
PIC18F23K22-I/SO封装图
PIC18F23K22-I/SO封装焊盘图
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型号: PIC18F23K22-I/SO
制造商: Microchip 微芯
描述:MICROCHIP  PIC18F23K22-I/SO  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC18F, 64 MHz, 8 KB, 512 Byte, 28 引脚, SOIC
替代型号PIC18F23K22-I/SO
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Microchip 微芯

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PIC18F25K22-I/SO

微芯

类似代替

PIC18F23K22-I/SO和PIC18F25K22-I/SO的区别

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微芯

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PIC18F23K22-I/SO和PIC18F24K22-I/SO的区别

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