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PBSS3540M中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.5A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DFN

外形尺寸

封装 DFN

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS3540M

型号： PBSS3540M

制造商： NXP 恩智浦

描述：40 V ， 0.5 A PNP低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 40 V, 0.5 A PNP low VCEsat BISS transistor

替代型号PBSS3540M

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NXP 恩智浦

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