PBSS306PX参数规格_中文资料_数据手册PDF

PBSS306PX中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3.7A

最小电流放大倍数hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

PBSS306PX引脚图与封装图

在线购买PBSS306PX

型号： PBSS306PX

制造商： NXP 恩智浦

描述：低饱和电压 PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors

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