PBSS4160V参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PBSS4160V中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-666

外形尺寸

封装 SOT-666

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS4160V

型号： PBSS4160V

制造商： NXP 恩智浦

描述：60 V ，1 A的NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 60 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistor

替代型号PBSS4160V

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PBSS4160V

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PBSS4160V,115

恩智浦

完全替代

PBSS4160V和PBSS4160V,115的区别