PHD20N06T参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PHD20N06T图片1

PHD20N06T图片2

PHD20N06T中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 18A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DPAK

外形尺寸

封装 DPAK

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHD20N06T

型号： PHD20N06T

制造商： NXP 恩智浦

描述：N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET

替代型号PHD20N06T

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PHD20N06T NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
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