PMCM6501UNEZ概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 20 V, 0.017 ohm, 4.5 V, 600 mV
采用trench MOSFET技术, 4和6凸点晶圆片级芯片规模封装 WLCSP场效应晶体管 FET, 可选择4或6引脚配置, N沟道和P沟道MOSFET。这款MOSFET具有非常低的导通电阻, 同时具有超过2 kV ESD保护。
得捷:
MOSFET N-CH 20V 8.7A 6WLCSP
立创商城:
N沟道 20V 8.7A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 8.7 A, 0.017 ohm, WLCSP, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 6.6A 6-Pin WLCSP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 6.6A 6-Pin WLCSP T/R
PMCM6501UNEZ中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.017 Ω
耗散功率 1.3 W
阈值电压 600 mV
输入电容 105 pF
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 105pF @10VVds
下降时间 46 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WLCSP-6
外形尺寸
封装 WLCSP-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 便携式器材
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买PMCM6501UNEZ