SP8J4TB参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SP8J4TB概述

SOP P-CH 30V 2A

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 2A 2W 表面贴装型 8-SOP

得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC

Win Source:
MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC

SP8J4TB中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -2.00 A

极性 P-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

上升时间 10.0 ns

输入电容Ciss 190pF @10VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SP8J4TB

型号： SP8J4TB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SOP P-CH 30V 2A