SP8M6TB

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SP8M6TB概述

SOP N+P 30V 5A/3.5A

Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC


贸泽:
MOSFET N-AND P- CHANNEL 30V 5A/3.5A


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8-Pin SOP T/R


SP8M6TB中文资料参数规格
技术参数

额定电流 5.00 A

通道数 2

漏源极电阻 51 mΩ

极性 N+P

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

上升时间 15.0 ns

输入电容Ciss 230pF @10VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4.4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SP8M6TB
型号: SP8M6TB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:SOP N+P 30V 5A/3.5A
替代型号SP8M6TB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SP8M6TB

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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SP8M6

罗姆半导体

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SP8M6TB和SP8M6的区别

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