SP8M9TB参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SP8M9TB概述

SOP N+P 30V 9A/5A

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 9A，5A 2W 表面贴装型 8-SOP

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

SP8M9TB中文资料参数规格

技术参数

额定电流 9.00 A

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 30.0 ns

输入电容Ciss 1190pF @10VVds

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SP8M9TB

型号： SP8M9TB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SOP N+P 30V 9A/5A