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SP8M8TB概述

SOP N+P 30V 6A/4.5A

Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC

Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC

SP8M8TB中文资料参数规格

技术参数

额定电流 6.00 A

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 25.0 ns

输入电容Ciss 520pF @10VVds

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SP8M8TB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SOP N+P 30V 6A/4.5A

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