SP8M10FU6TB参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SP8M10FU6TB概述

SOP N+P 30V 7A/4.5A

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 7A，4.5A 2W 表面贴装型 8-SOP

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

贸泽:
MOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V

SP8M10FU6TB中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

漏源极电阻 25 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 7A/4.5A

输入电容Ciss 600pF @10VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4.4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SP8M10FU6TB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SOP N+P 30V 7A/4.5A