SPA08N80C3

SPA08N80C3图片1
SPA08N80C3图片2
SPA08N80C3图片3
SPA08N80C3图片4
SPA08N80C3图片5
SPA08N80C3图片6
SPA08N80C3图片7
SPA08N80C3图片8
SPA08N80C3图片9
SPA08N80C3图片10
SPA08N80C3图片11
SPA08N80C3图片12
SPA08N80C3图片13
SPA08N80C3图片14
SPA08N80C3概述

INFINEON  SPA08N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


立创商城:
N沟道 800V 8A


得捷:
SPA08N80 - 800V COOLMOS N-CHANNE


欧时:
### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FP


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


儒卓力:
**N-CH 800V 8A 650mOhm TO220FP **


力源芯城:
800V,8A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP


SPA08N80C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 8.00 A

额定功率 40 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 650 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 40 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1100pF @100VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SPA08N80C3
型号: SPA08N80C3
描述:INFINEON  SPA08N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V
替代型号SPA08N80C3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SPA08N80C3

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

SPA11N80C3

英飞凌

类似代替

SPA08N80C3和SPA11N80C3的区别

SPA20N60C3

英飞凌

类似代替

SPA08N80C3和SPA20N60C3的区别

SPA04N60C3

英飞凌

类似代替

SPA08N80C3和SPA04N60C3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台