SPW20N60C3

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SPW20N60C3概述

INFINEON  SPW20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 650V 20.7A


得捷:
SPW20N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE


欧时:
### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-247


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


力源芯城:
600V,20.7A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247


SPW20N60C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 20.7 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 190 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 3 V

输入电容 2.40 nF

栅电荷 114 nC

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 20.7 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

SPW20N60C3引脚图与封装图
SPW20N60C3引脚图
SPW20N60C3封装图
SPW20N60C3封装焊盘图
在线购买SPW20N60C3
型号: SPW20N60C3
描述:INFINEON  SPW20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
替代型号SPW20N60C3
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