S27KL0641DABHI023

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S27KL0641DABHI023概述

DRAM, 8M x 8bit, 36ns, HyperBus接口, FBGA-24

PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mb(8M x 8) 并联 24-FBGA(6x8)


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S27KL0641DABHI023


e络盟:
DRAM, 8M x 8bit, 36ns, HyperBus接口, FBGA-24


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA T/R


Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 8Mx8 3V/3.3V 24-Pin Fortified BGA T/R


S27KL0641DABHI023中文资料参数规格
技术参数

供电电流 60 mA

针脚数 24

位数 8

存取时间 36 ns

存取时间Max 40 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 24

封装 BGA-24

外形尺寸

封装 BGA-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 3A991.b.1.a

数据手册

在线购买S27KL0641DABHI023
型号: S27KL0641DABHI023
描述:DRAM, 8M x 8bit, 36ns, HyperBus接口, FBGA-24
替代型号S27KL0641DABHI023
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

S27KL0641DABHI023

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