SI6963DQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI6963DQ中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 36.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.00 W

栅源击穿电压 ±12.0 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP

外形尺寸

封装 TSSOP

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6963DQ

型号： SI6963DQ

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

替代型号SI6963DQ