TLV2381IDR

TLV2381IDR图片1
TLV2381IDR图片2
TLV2381IDR图片3
TLV2381IDR图片4
TLV2381IDR图片5
TLV2381IDR图片6
TLV2381IDR图片7
TLV2381IDR图片8
TLV2381IDR概述

系列微功耗轨至轨输入和输出运算放大器 FAMILY OF MICROPOWER RAIL-TO-RAIL INPUT AND OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

通用 放大器 1 电路 满摆幅 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLV2381IDR


德州仪器TI:
Single, 16-V, 160-kHz, RRIO operational amplifier


艾睿:
Optimize your circuit with this general purpose amplifier TLV2381IDR OP amp from Texas Instruments by adding functionalities such as amplifying voltages and performing basic mathematical operations. Its maximum power dissipation is 710 mW. Its typical dual supply voltage is ±3|±5 V, with a minimum of ±1.35 V and maximum of ±8 V. This op amp has a temperature range of -40 °C to 125 °C. It has a single channel per chip. This device uses one or two power supplies. This device utilizes biCMOS technology.


安富利:
OP Amp Single GP R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
OP Amp Single GP R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Single Low Power Amplifier R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


DeviceMart:
IC OPAMP GP R-R 160KHZ SGL 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 160KHZ RRO 8SOIC


TLV2381IDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 0.4mA @2.7V

供电电流 7 µA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 0.71 W

共模抑制比 58 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K

带宽 160 kHz

转换速率 60.0 mV/μs

增益频宽积 160 kHz

输入补偿电压 500 µV

输入偏置电流 1 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 0.16 MHz

耗散功率Max 710 mW

共模抑制比Min 58 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TLV2381IDR引脚图与封装图
TLV2381IDR引脚图
TLV2381IDR封装图
TLV2381IDR封装焊盘图
在线购买TLV2381IDR
型号: TLV2381IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:系列微功耗轨至轨输入和输出运算放大器 FAMILY OF MICROPOWER RAIL-TO-RAIL INPUT AND OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS
替代型号TLV2381IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLV2381IDR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

TLV2381IDRG4

德州仪器

完全替代

TLV2381IDR和TLV2381IDRG4的区别

TLV2381ID

德州仪器

类似代替

TLV2381IDR和TLV2381ID的区别

TLV2381IDG4

德州仪器

类似代替

TLV2381IDR和TLV2381IDG4的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台