TLV2632IDR

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TLV2632IDR概述

系列低功率宽带宽单电源运算放大器,具有和不停车 FAMILY OF LOW POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH AND WITHOUT SHUTDOWN

通用 放大器 电路 满摆幅 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLV2632IDR


德州仪器TI:
Dual, 5.5-V, 9-MHz, RRO operational amplifier


贸泽:
运算放大器 - 运放 1-mA/CH 9-MHz RRO Op Amp


艾睿:
Op Amp Dual Wideband Amplifier R-R O/P ±2.75V/5.5V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P ±2.75V/5.5V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Wideband Amplifier R-R O/P ±2.75V/5.5V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLV2632IDR  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 9 MHz, 6 V/µs, ± 1.35V to ± 2.75V, SOIC, 8 Pins


TLV2632IDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 28mA @5V

供电电流 730 µA

电路数 2

通道数 2

耗散功率 710 mW

共模抑制比 77 dB

输入补偿漂移 3.00 µV/K

带宽 9 MHz

转换速率 6.00 V/μs

增益频宽积 9 MHz

过温保护 No

输入补偿电压 250 µV

输入偏置电流 1 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 9 MHz

耗散功率Max 710 mW

共模抑制比Min 77 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TLV2632IDR引脚图与封装图
TLV2632IDR引脚图
TLV2632IDR封装图
TLV2632IDR封装焊盘图
在线购买TLV2632IDR
型号: TLV2632IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:系列低功率宽带宽单电源运算放大器,具有和不停车 FAMILY OF LOW POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH AND WITHOUT SHUTDOWN
替代型号TLV2632IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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TI 德州仪器

当前型号

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德州仪器

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