TL052IDR

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TL052IDR概述

增强型JFET低偏移运算放大器 ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS

description/ordering information

The TL05x series of JFET-input operational amplifiers offers improved dc and ac characteristics over the TL07x and TL08x families of BiFET operational amplifiers. On-chip Zener trimming of offset voltage yields precision grades as low as 1.5 mV TL051A for greater accuracy in dc-coupled applications. Texas Instruments improved BiFET process and optimized designs also yield improved bandwidth and slew rate without increased power consumption. The TL05x devices are pin-compatible with the TL07x and TL08x and can be used to upgrade existing circuits or for optimal performance in new designs.

Direct Upgrades to TL07x and TL08x BiFET Operational Amplifiers

Faster Slew Rate 20 V/µs Typ Without Increased Power Consumption

On-Chip Offset-Voltage Trimming for Improved DC Performance and Precision Grades Are Available 1.5 mV, TL051A

TL052IDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤80 mA

供电电流 4.8 mA

电路数 2

通道数 2

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K

带宽 3.00 MHz

转换速率 20.0 V/μs

增益频宽积 3 MHz

输入补偿电压 650 µV

输入偏置电流 30 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 3 MHz

共模抑制比Min 65 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TL052IDR引脚图与封装图
TL052IDR引脚图
TL052IDR封装图
TL052IDR封装焊盘图
在线购买TL052IDR
型号: TL052IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:增强型JFET低偏移运算放大器 ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS
替代型号TL052IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TL052IDR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

TL052IDG4

德州仪器

完全替代

TL052IDR和TL052IDG4的区别

TL052ACDR

德州仪器

类似代替

TL052IDR和TL052ACDR的区别

TL052ACD

德州仪器

类似代替

TL052IDR和TL052ACD的区别

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