TLC277IDR

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TLC277IDR概述

LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments

精密 LinCMOS


立创商城:
TLC277IDR


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


德州仪器TI:
Dual Precision Single Supply Operational Amplifier


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 TLC277IDR 双, 1.7MHz增益带宽积, 5 → 15 V单电源电压, 8引脚


贸泽:
Precision Amplifiers Dual Precision Single Supply


e络盟:
芯片, 运算放大器, 1.7MHZ, 3.6V/uS, SOIC-8


艾睿:
Op Amp Dual Low Offset Voltage Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Low Offset VoltageDual Precision Single Supply Operational Amplifier OP Amp Dual GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Offset Voltage Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLC277IDR  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 1.7 MHz, 3.6 V/µs, 4V to 16V, SOIC, 8 Pins


Win Source:
IC OPAMP GP 2.2MHZ 8SOIC


TLC277IDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤30 mA

供电电流 1.4 mA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 725 mW

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K

带宽 1.7 MHz

转换速率 3.60 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz

输入补偿电压 250 µV

输入偏置电流 0.7 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 1.7 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 65 dB

电源电压 4V ~ 16V

电源电压Max 16 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TLC277IDR引脚图与封装图
TLC277IDR引脚图
TLC277IDR封装图
TLC277IDR封装焊盘图
在线购买TLC277IDR
型号: TLC277IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:LinCMOS 运算放大器 ### 运算放大器,Texas Instruments
替代型号TLC277IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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TI 德州仪器

当前型号

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