TLV2262AIDR

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TLV2262AIDR概述

LinCMOS 运算放大器,TLV 系列### 运算放大器,Texas Instruments

低电压 LinCMOS ,TLV 系列


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLV2262AIDR


德州仪器TI:
Dual advanced linCMOS™, 0.2-mA, rail-to-rail operational amplifier


欧时:
### 低电压 LinCMOS 运算放大器,TLV 系列### 运算放大器,Texas Instruments


贸泽:
运算放大器 - 运放 Advanced LinCMOS Rail-To-Rail Dual


艾睿:
Op Amp Dual Low Noise Amplifier R-R O/P ±4V/8V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P ±4V/8V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Low NoiseAdvanced LinCMOSTM Rail-To-Rail Dual Operational Amplifier OP Amp Dual GP R-R O/P ±4V/8V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Noise Amplifier R-R O/P ±4V/8V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLV2262AIDR  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 670 kHz, 0.55 V/µs, 2.7V to 8V, SOIC, 8 Pins


力源芯城:
双路,低功耗,低噪声运放


Win Source:
IC OPAMP GP 710KHZ RRO 8SOIC


TLV2262AIDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤50 mA

供电电流 400 µA

电路数 2

通道数 2

耗散功率 725 mW

共模抑制比 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K

带宽 670 kHz

转换速率 550 mV/μs

增益频宽积 710 kHz

过温保护 No

输入补偿电压 300 µV

输入偏置电流 1 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 0.71 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 70 dB

电源电压 2.7V ~ 8V

电源电压Max 8 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TLV2262AIDR引脚图与封装图
TLV2262AIDR引脚图
TLV2262AIDR封装图
TLV2262AIDR封装焊盘图
在线购买TLV2262AIDR
型号: TLV2262AIDR
制造商: TI 德州仪器
描述:LinCMOS 运算放大器,TLV 系列 ### 运算放大器,Texas Instruments
替代型号TLV2262AIDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLV2262AIDR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

TLV2262AQDG4

德州仪器

完全替代

TLV2262AIDR和TLV2262AQDG4的区别

TLV2262AQDR

德州仪器

完全替代

TLV2262AIDR和TLV2262AQDR的区别

TLV2262AQDRQ1

德州仪器

完全替代

TLV2262AIDR和TLV2262AQDRQ1的区别

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