















LinCMOS 运算放大器,TLV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
低电压 LinCMOS ,TLV 系列
得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
立创商城:
TLV2262AIDR
德州仪器TI:
Dual advanced linCMOS™, 0.2-mA, rail-to-rail operational amplifier
欧时:
### 低电压 LinCMOS 运算放大器,TLV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
贸泽:
运算放大器 - 运放 Advanced LinCMOS Rail-To-Rail Dual
艾睿:
Op Amp Dual Low Noise Amplifier R-R O/P ±4V/8V 8-Pin SOIC T/R
安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P ±4V/8V 8-Pin SOIC T/R
Chip1Stop:
Low NoiseAdvanced LinCMOSTM Rail-To-Rail Dual Operational Amplifier OP Amp Dual GP R-R O/P ±4V/8V 8-Pin SOIC T/R
Verical:
Op Amp Dual Low Noise Amplifier R-R O/P ±4V/8V 8-Pin SOIC T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS TLV2262AIDR Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 670 kHz, 0.55 V/µs, 2.7V to 8V, SOIC, 8 Pins
力源芯城:
双路,低功耗,低噪声运放
Win Source:
IC OPAMP GP 710KHZ RRO 8SOIC
输出电流 ≤50 mA
供电电流 400 µA
电路数 2
通道数 2
耗散功率 725 mW
共模抑制比 70 dB
输入补偿漂移 2.00 µV/K
带宽 670 kHz
转换速率 550 mV/μs
增益频宽积 710 kHz
过温保护 No
输入补偿电压 300 µV
输入偏置电流 1 pA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
增益带宽 0.71 MHz
耗散功率Max 725 mW
共模抑制比Min 70 dB
电源电压 2.7V ~ 8V
电源电压Max 8 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TLV2262AIDR TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
TLV2262AQDG4 德州仪器 | 完全替代 | TLV2262AIDR和TLV2262AQDG4的区别 |
TLV2262AQDR 德州仪器 | 完全替代 | TLV2262AIDR和TLV2262AQDR的区别 |
TLV2262AQDRQ1 德州仪器 | 完全替代 | TLV2262AIDR和TLV2262AQDRQ1的区别 |