TLE2072AQDRG4Q1

TLE2072AQDRG4Q1图片1
TLE2072AQDRG4Q1图片2
TLE2072AQDRG4Q1图片3
TLE2072AQDRG4Q1图片4
TLE2072AQDRG4Q1图片5
TLE2072AQDRG4Q1图片6
TLE2072AQDRG4Q1图片7
TLE2072AQDRG4Q1图片8
TLE2072AQDRG4Q1图片9
TLE2072AQDRG4Q1概述

EXCALIBUR低噪声高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR LOW-NOISE HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

J-FET 放大器 2 电路 - 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLE2072AQDRG4Q1


德州仪器TI:
Automotive-grade, dual, 38-V, 10-MHz, 40-V/μs slew rate, 2-mV offset voltage, JFET-input op amp


贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps Excalbur LoNoise Hi Spd JFET Input OpAmp


艾睿:
OP Amp Dual GP ±19V Automotive 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP ±19V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
OP Amp Dual GP ?19V Automotive 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Wideband Amplifier ±19V Automotive 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLE2072AQDRG4Q1  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 9.4 MHz, 35 V/µs, ± 2.25V to ± 19V, SOIC, 8 Pins


Win Source:
TLE2072A-Q1 - AUTOMOTIVE EXCALIB / J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC


TLE2072AQDRG4Q1中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤80 mA

供电电流 3.1 mA

电路数 2

通道数 2

共模抑制比 70 dB

输入补偿漂移 2.40 µV/K

带宽 9.4 MHz

转换速率 40.0 V/μs

增益频宽积 9.4 MHz

输入补偿电压 3.5 mV

输入偏置电流 0.175 nA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 10 MHz

共模抑制比Min 70 dB

电源电压Max 38 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

TLE2072AQDRG4Q1引脚图与封装图
TLE2072AQDRG4Q1引脚图
TLE2072AQDRG4Q1封装图
TLE2072AQDRG4Q1封装焊盘图
在线购买TLE2072AQDRG4Q1
型号: TLE2072AQDRG4Q1
制造商: TI 德州仪器
描述:EXCALIBUR低噪声高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR LOW-NOISE HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS
替代型号TLE2072AQDRG4Q1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLE2072AQDRG4Q1

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

TLE2072AID

德州仪器

类似代替

TLE2072AQDRG4Q1和TLE2072AID的区别

TLE2072ACD

德州仪器

类似代替

TLE2072AQDRG4Q1和TLE2072ACD的区别

TLE2072AIDG4

德州仪器

类似代替

TLE2072AQDRG4Q1和TLE2072AIDG4的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台