MSC2712GT1

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MSC2712GT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200

最大电流放大倍数hFE 400

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-59-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.09 mm

封装 SC-59-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MSC2712GT1
型号: MSC2712GT1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier Transistor
替代型号MSC2712GT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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