晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
Target Applications:
额定功率 104 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.27 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 550 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1190pF @100VVds
额定功率Max 104 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPP50R299CPXKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP50R280CEXKSA1 英飞凌 | 功能相似 | IPP50R299CPXKSA1和IPP50R280CEXKSA1的区别 |