PBSS3515E参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PBSS3515E中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 15 V

集电极最大允许电流 0.5A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75

外形尺寸

封装 SC-75

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS3515E

型号： PBSS3515E

制造商： NXP 恩智浦

描述：15 V ， 0.5 A PNP低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat BISS transistor

替代型号PBSS3515E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PBSS3515E NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PBSS3515E,115 恩智浦	完全替代	PBSS3515E和PBSS3515E,115的区别
PBSS3515M,315 恩智浦	完全替代	PBSS3515E和PBSS3515M,315的区别
PBSS3515F 恩智浦	类似代替	PBSS3515E和PBSS3515F的区别