SIA936EDJ-T1-GE3

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SIA936EDJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.027 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 7.8 W

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

封装 SC-70

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIA936EDJ-T1-GE3
描述:VISHAY  SIA936EDJ-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 4.5A, POWERPACK, SC-70

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