34AA02-E/ST

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34AA02-E/ST概述

34AA02/34LC02 I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 34AA02/34LC02 系列设备为 2K 位 I²C™ 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 这些设备提供灵活写入保护选项,提供全、半或零阵列保护。### 特点### 永久和可重置软件写保护,用于阵列较低一半 00h-7Fh 硬件写入保护,用于整个阵列 低功率 CMOS 技术:读取电流 1mA(典型)、待机电流 100nA(典型) 2 线串行接口总线,I²C™ 兼容 级联多达八台设备 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 兼容性 1 MHz 时钟,用于 LC 型号 页面写入时间 3ms(典型) 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年### EEPROM 串行存取 - Microchip

34AA02/34LC02 I²C™ 串行 EEPROM

的 34AA02/34LC02 系列设备为 2K 位 I²C™ 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。

这些设备提供灵活写入保护选项,提供全、半或零阵列保护。

### 特点

### 永久和可重置软件写保护,用于阵列较低一半 00h-7Fh

硬件写入保护,用于整个阵列

低功率 CMOS 技术:读取电流 1mA(典型)、待机电流 100nA(典型)

2 线串行接口总线,I²C™ 兼容

级联多达八台设备

Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制

输出斜率控制,用于消除地面颤动

100 kHz 和 400 kHz 兼容性

1 MHz 时钟,用于 LC 型号

页面写入时间 3ms(典型)

自定时擦除/写入周期

16 字节页面写入缓冲器

ESD 保护 >4,000V

超过 100 万个擦除/写入周期

数据保留 >200 年

34AA02-E/ST中文资料参数规格
技术参数

存取时间 900 ns

存取时间Max 900 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 3.1 mm

高度 1.05 mm

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

34AA02-E/ST引脚图与封装图
34AA02-E/ST引脚图
34AA02-E/ST封装图
34AA02-E/ST封装焊盘图
在线购买34AA02-E/ST
型号: 34AA02-E/ST
制造商: Microchip 微芯
描述:34AA02/34LC02 I²C™ 串行 EEPROM Microchip 的 34AA02/34LC02 系列设备为 2K 位 I²C™ 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 这些设备提供灵活写入保护选项,提供全、半或零阵列保护。 ### 特点 ### 永久和可重置软件写保护,用于阵列较低一半 00h-7Fh 硬件写入保护,用于整个阵列 低功率 CMOS 技术:读取电流 1mA(典型)、待机电流 100nA(典型) 2 线串行接口总线,I²C™ 兼容 级联多达八台设备 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 兼容性 1 MHz 时钟,用于 LC 型号 页面写入时间 3ms(典型) 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip

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