3LP01C-TB-E

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3LP01C-TB-E概述

P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,

### MOSFET ,ON Semiconductor


得捷:
MOSFET P-CH 30V 100MA 3CP


欧时:
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET 3LP01C-TB-E, 100 mA, Vds=30 V, 3引脚 CP封装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CP T/R


安富利:
* Low ON-resistance * High speed switching * 2.5 V drive


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.1A 3-Pin CP T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 100MA CP


3LP01C-TB-E中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 0.25 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100 mA

上升时间 55 ns

输入电容Ciss 7.5pF @10VVds

下降时间 130 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买3LP01C-TB-E
型号: 3LP01C-TB-E
描述:P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

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