30A02CH-TL-E

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30A02CH-TL-E概述

NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

通用 NPN ,最大 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor 30A02CH-TL-E , PNP 晶体管, 700 mA, Vce=30 V, HFE:200, 520 MHz, 3引脚 CPH封装


得捷:
TRANS PNP 30V 0.7A 3CPH


立创商城:
30A02CH-TL-E


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 520 MHz, 700 mW, -700 mA, 200 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.7A 3-Pin CPH T/R


安富利:
* Large current capacitance * Small ON-resistance Ron * Low collector-to-emitter saturation voltage resistance RCE sat typ=580mΩ [IC=0.7A, IB=35mA]


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 0.7A 3-Pin CPH T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 30V 0.7A 700mW 3-Pin CPH T/R


Win Source:
TRANS PNP 30V 0.7A CPH3


30A02CH-TL-E中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 700 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.7A

最小电流放大倍数hFE 200 @10mA, 2V

额定功率Max 700 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 CPH-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.9 mm

封装 CPH-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买30A02CH-TL-E
型号: 30A02CH-TL-E
描述:NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

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