3LP01M-TL-E概述
-30V,-100mA,10.4Ω,P沟道小信号MOSFET
P-Channel 30V 100mA Ta 150mW Ta Surface Mount 3-MCP
得捷:
MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP
贸泽:
MOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.1A 3-Pin Case MCP T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.1A 3-Pin MCP T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.1A 3-Pin Case MCP T/R
罗切斯特:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.1A 3-Pin Case MCP T/R
力源芯城:
-30V,-100mA,10.4Ω,P沟道小信号MOSFET
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 0.1A
3LP01M-TL-E中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 10.4 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 0.15 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 100 mA
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 7.5pF @10VVds
下降时间 130 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买3LP01M-TL-E