3LN01C-TB-E

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3LN01C-TB-E概述

N 通道功率 MOSFET,30V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

N 通道功率 MOSFET,30V,


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 3LN01C-TB-E, 150 mA, Vds=30 V, 3引脚 CP封装


得捷:
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the 3LN01C-TB-E power MOSFET from ON Semiconductor can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 250 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
3LN01C-TB-E N-channel MOSFET Transistor, 0.15 A, 30 V, 3-Pin CP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.15A 3-Pin CP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP


3LN01C-TB-E中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 0.25 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 150 mA

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 7pF @10VVds

下降时间 120 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买3LN01C-TB-E
型号: 3LN01C-TB-E
描述:N 通道功率 MOSFET,30V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

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