36501E4N7GTDG参数规格_中文资料_数据手册PDF

36501E4N7GTDG概述

Ind High Frequency Chip Unshielded Wirewound 4.7nH 2% 0402

4.7nH Unshielded Wirewound Inductor 640mA 130mOhm Max Nonstandard

得捷:
FIXED IND 4.7NH 640MA 130MOHM SM

艾睿:
Ind High Frequency Chip Unshielded Wirewound 4.7nH 2% 0402

36501E4N7GTDG中文资料参数规格

技术参数

额定电流 640 mA

容差 ±2 %

电感 0.0047 µH

自谐频率 4.7 GHz

屏蔽 No

电感公差 ±2 %

测试频率 250 MHz

电阻DC） ≤130 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.5 mm

封装公制 1005

封装 0402

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

ELV标准 Compliant

数据手册

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型号： 36501E4N7GTDG

描述：Ind High Frequency Chip Unshielded Wirewound 4.7nH 2% 0402