3N163-E3概述
VISHAY 3N163-E3. 场效应管, MOSFET
The is a -40V P-channel Enhancement Mode MOSFET designed for analogue switch and pre-amplifier applications where high speed and low parasitic capacitances are required.
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- Ultra low input leakage
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- 125V High gate breakdown voltage
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- High off isolation without power
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- Minimize handling ESD problems
3N163-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 180 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 375 mW
漏源极电压Vds -40.0 V
漏源击穿电压 -40.0 V
连续漏极电流Ids -50.0 mA
输入电容Ciss 2.4pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375 mW
封装参数
引脚数 4
封装 TO-206-4
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-206-4
其他
包装方式 Bulk
制造应用 电源管理, 信号处理, 安全, Power Management, Safety, Signal Processing
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买3N163-E3