3STR1630概述
低电压高性能NPN功率晶体管 Low voltage high performance NPN power transistor
- 双极 BJT - 单 NPN 30 V 6 A 100MHz 500 mW 表面贴装型 SOT-23-3
得捷:
TRANS NPN 30V 6A SOT23-3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Low Volt High Perf NPN Power Trans
艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 6A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 6A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
DeviceMart:
TRANS NPN 30V 6A SOT-23-3
Win Source:
TRANS NPN 30V 6A SOT-23-3
3STR1630中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 6A
最小电流放大倍数hFE 180 @500mA, 2V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买3STR1630
型号： 3STR1630
描述：低电压高性能NPN功率晶体管 Low voltage high performance NPN power transistor