3SK153

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3SK153概述

3SK153 N沟道MOSFET 13.5V 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 UI 高级交叉调制性能/低反向传输电容/低噪声增益控制放大器系数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 13.5V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 30mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| -1.5-1/-1-1 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Features SILICON N-CHANNEL DUAL GATE MOS FET TV TUNER VHF MIXER APPLICATIONS VHF WIDE BAND RF AMPLIFIER APPLICATIONS Superior cross modulation performance Low reverse transfer capacitance Low noise figure 描述与应用| 特性 硅N沟道双栅MOS FET 电视调谐器甚高频混频器应用 甚高频宽频带RF放大器应用 高级交叉调制性能 低反向传输电容 低噪声系数

3SK153中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-143

外形尺寸

封装 SOT-143

其他

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 13.5V

最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage 8V

最大漏极电流Id Drain Current 30mA

开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -1.5-1/-1-1

耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W

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符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: 3SK153
制造商: Toshiba 东芝
描述:3SK153 N沟道MOSFET 13.5V 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 UI 高级交叉调制性能/低反向传输电容/低噪声增益控制放大器系数

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