3SK151-GR

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3SK151-GR概述

3SK151-GR N沟道MOSFET 15V 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 UH 高转换增益/低噪声增益控制放大器系数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 15V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 30mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| -0.15--1.5/0--1 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Features SILICON N-CHANNEL DUAL GATE MOS FET TV TUNER VHF MIXER APPLICATIONS VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS High conversion gain Low noise figure 描述与应用| 特性 硅N沟道双栅MOS FET 电视调谐器甚高频混频器应用 甚高频射频放大器应用 高转换增益 低噪声系数


3SK151-GR中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 15 V

连续漏极电流Ids 0.03A

封装参数

封装 SOT-143

外形尺寸

封装 SOT-143

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: 3SK151-GR
制造商: Toshiba 东芝
描述:3SK151-GR N沟道MOSFET 15V 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 UH 高转换增益/低噪声增益控制放大器系数

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