3SK131 N沟道MOSFET 20V 25mA SOT-143 marking/标记 V13 射频放大器/VHF电视调谐器/低噪声增益控制放大器
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 25mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| -2/-1.5 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMP. FOR VHF TV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4PIN MINI MOLD Features MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMP FOR VHF TV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4PIN MINI MOLD Suitable for use as RF amplifier in VHF TV tuner Low Crss : 0.05 pF TYP High Gps : 23 dB TYP Low NF : 1.3 dB TYP 描述与应用| MOS场效应晶体管 射频放大器。 VHF电视调谐器 N-沟道硅双栅MOS场效应晶体管 4PIN MINI模具 特性 MOS场效应晶体管 VHF电视调谐RF放大器 N-沟道硅双栅MOS场效应晶体管 4PIN 迷你模具 适合用于甚高频电视调谐器中RF放大器 低Crss：0.05 pF（典型值） 高GPS：23 dB（典型值） 低噪声系数：1.3 dB（典型值）