36502C1R0GTDG参数规格_中文资料_数据手册PDF

36502C1R0GTDG概述

Inductor High Frequency Chip Unshielded Wirewound 1uH 2% 25MHz 35Q-Factor 370mA 1.75Ω DCR 1008 T/R

1µH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 1.75Ohm Max Nonstandard

得捷:
FIXED IND 1UH 370MA 1.75 OHM SMD

艾睿:
Inductor High Frequency Chip Unshielded Wirewound 1uH 2% 25MHz 35Q-Factor 370mA 1.75Ohm DCR 1008 T/R

安富利:
Ind High Frequency Chip Unshielded Wirewound 1uH 2% 25MHz 35Q-Factor 370mA 1008 T/R

36502C1R0GTDG中文资料参数规格

技术参数

额定电流 370 mA

容差 ±2 %

电感 1 µH

自谐频率 290 MHz

Q值 35

电感公差 ±2 %

测试频率 25 MHz

电阻DC） ≤1.75 Ω

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 1.75 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1008

外形尺寸

宽度 2.79 mm

高度 2.1 mm

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买36502C1R0GTDG

型号： 36502C1R0GTDG

描述：Inductor High Frequency Chip Unshielded Wirewound 1uH 2% 25MHz 35Q-Factor 370mA 1.75Ω DCR 1008 T/R