4N32TVM

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4N32TVM概述

Fairchild Semiconductor

Description

The 4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M and TIL113M have a gallium arsenide infrared emitter optically coupled to a silicon planar photodarlington.

Features

■ High sensitivity to low input drive current

■ Meets or exceeds all JEDEC Registered Specifications

■ UL, C-UL approved, File #E90700, Volume 2

■ IEC 60747-5-2 approved ordering option V

Applications

■ Low power logic circuits

■ Telecommunications equipment

■ Portable electronics

■ Solid state relays

■ Interfacing coupling systems of different potentials and impedances

4N32TVM中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 6

正向电压 1.2 V

耗散功率 250 mW

上升时间 5 µs

隔离电压 4170 Vrms

正向电流 80 mA

输出电压Max 30 V

输入电流Min 3 A

正向电压Max 1.5 V

正向电流Max 80 mA

下降时间 100 µs

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 6

封装 DIP-6

外形尺寸

高度 5.08 mm

封装 DIP-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 100℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买4N32TVM
型号: 4N32TVM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Fairchild Semiconductor

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