4N25SHORT-TP1F

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4N25SHORT-TP1F中文资料参数规格
技术参数

输入电压DC 1.15 V

输出电压 ≤70.0 V

电路数 1

通道数 1

正向电压 1.5 V

耗散功率 250 mW

上升时间 2 µs

隔离电压 2500 Vrms

击穿电压集电极-发射极 30 V

正向电流 10 mA

正向电压Max 1.5 V

正向电流Max 80 mA

下降时间 2 µs

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SO-6

外形尺寸

长度 7.12 mm

宽度 6.4 mm

高度 3.65 mm

封装 SO-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买4N25SHORT-TP1F
型号: 4N25SHORT-TP1F
制造商: Toshiba 东芝
描述:Optocoupler DC-IN 1CH Transistor With Base DC-OUT 6Pin PDIP SMD T/R

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