55GN01MA-TL-E

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55GN01MA-TL-E概述

ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

射频双极,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP


立创商城:
55GN01MA-TL-E


欧时:
ON Semiconductor 55GN01MA-TL-E , NPN 晶体管, 70 mA, Vce=10 V, HFE:100, 5.5 GHz, 3引脚 MCP封装


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 70MA 10V FT=5.5G


艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin Case MCP T/R


Allied Electronics:
ON Semi 55GN01MA-TL-E NPN RF Bipolar Transistor, 0.07 A, 10 V, 3-Pin MCP


Verical:
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 400mW 3-Pin SC-70 T/R


Win Source:
TRANS NPN BIPO 70MA 10V MCP


55GN01MA-TL-E中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 400 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

最小电流放大倍数hFE 100

最大电流放大倍数hFE 180

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2.1 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买55GN01MA-TL-E
型号: 55GN01MA-TL-E
描述:ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

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