NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
通用 NPN ,最大 1A,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
立创商城:
50A02CH-TL-E
得捷:
TRANS PNP 50V 0.5A 3CPH
欧时:
ON Semiconductor 50A02CH-TL-E , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=50 V, HFE:200, 690 MHz, 3引脚 CPH封装
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 50V
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -50 V, 690 MHz, 700 mW, -500 mA, 200 hFE
艾睿:
The versatility of this PNP 50A02CH-TL-E GP BJT from ON Semiconductor makes it capable of being use as either a switch or amplifier in your circuit. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 700 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin CPH T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin CPH T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 700mW 3-Pin CPH T/R
罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin CPH T/R
Win Source:
TRANS PNP 50V 0.5A CPH3
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 700 mW
增益频宽积 690 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 200 @10mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 500
额定功率Max 700 mW
直流电流增益hFE 200
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 High Speed Switching, Low-Frequency Amplifier, Muting Circuit, Small Motor Drive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free