50MT060WHTAPBF

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50MT060WHTAPBF概述

50MT060 系列 600 V 114 A 通孔 半桥 IGBT - MTP

**Features:**

* Generation 4 Warp Speed IGBT Technology

* HEXFRED® Antiparallel Diodes with Ultrasoftreverse Recovery

* Very Low Conduction and Switching Losses

* Optional SMD Thermistor NTC

* Very Low Junction to Case Thermal Resistance

* ULE78996 Approved

* Speed 60 to 100 kHz

* Totally Lead Pb-Free

* Designed and Qualified for Industrial Level

**Benefits:**

* Optimized for Welding, UPS and SMPS Applications

* Low EMI, Requires Less Snubbing

* Direct Mounting to Heatsink

* PCB Solderable Terminals

* Very Low Stray Inductance Design for High Speed Operation

50MT060WHTAPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 658 W

热阻 0.38℃/W RθJC

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 658000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 12

封装 MTP

外形尺寸

长度 63.5 mm

宽度 33 mm

高度 16 mm

封装 MTP

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买50MT060WHTAPBF
型号: 50MT060WHTAPBF
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:50MT060 系列 600 V 114 A 通孔 半桥 IGBT - MTP

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