6N137-300E

6N137-300E图片1
6N137-300E图片2
6N137-300E图片3
6N137-300E图片4
6N137-300E图片5
6N137-300E图片6
6N137-300E图片7
6N137-300E图片8
6N137-300E图片9
6N137-300E图片10
6N137-300E概述

高速光耦合器 10 Mb/s 3750Vrms

Description

The 6N137, HCPL-26xx/06xx/4661, HCNW137/26x1 are optically coupled gates that combine a GaAsP light emitting diode and an integrated high gain photo etector.

An enable input allows the detector to be strobed. The output of the detector IC is an open collector Schottky clamped transistor. The internal shield provides a guaranteed common mode transient immunity specification

up to 15,000 V/µs at Vcm = 1000 V.

This unique design provides maximum AC and DC circuit isolation while achieving TTL compatibility. The optocoupler AC and DC operational param e ters are guaranteed from -40 °C to +85 °C allowing troublefree system performance.

Features

• 15 kV/µs minimum Common Mode Rejection CMR

at Vcm= 1 kV for HCNW2611, HCPL-2611, HCPL-4661, HCPL-0611, HCPL-0661

• High speed: 10 MBd typical

• LSTTL/TTL compatible

• Low input current capability: 5 mA

• Guaranteed AC and DC performance over temperature: -40 °C to +85 °C

• Available in 8-Pin DIP, SOIC-8, widebody packages

• Strobable output single channel products only

• Safety approval

UL recognized - 3750 Vrms for 1 minute and 5000 Vrms for 1 minute per UL1577 CSA approved

6N137-300E中文资料参数规格
技术参数

输入电压DC 1.50 V

输出电压 7 V

电路数 1

通道数 1

正向电压 1.50 V

输入电流 15 mA

耗散功率 85 mW

数据速率 10.0 Mbps

上升时间 48 ns

隔离电压 3750 Vrms

正向电压Max 1.75 V

正向电流Max 20 mA

下降时间 0.01 µs

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 85 mW

电源电压Max 5.5 VDC

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

宽度 6.35 mm

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

数据手册

6N137-300E引脚图与封装图
6N137-300E引脚图
6N137-300E封装图
6N137-300E封装焊盘图
在线购买6N137-300E
型号: 6N137-300E
制造商: AVAGO Technologies 安华高科
描述:高速光耦合器 10 Mb/s 3750Vrms

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台