6MBI100S-120-50

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6MBI100S-120-50中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 700 W

上升时间 350 ns

隔离电压 2.50 kV

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 21

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买6MBI100S-120-50
型号: 6MBI100S-120-50
制造商: FUJI 富士电机
描述:FUJI ELECTRIC 6MBI100S-120-50 IGBT Array & Module Transistor, 6 Pack, N Channel, 150A, 2.6V, 700W, 1.2kV, Module

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