6EDL04I06PT

EiceDRIVER™ 3 相栅极驱动 IC，InfineonInfineon 3 相 600V MOSFET 和 IGBT 栅极驱动 IC 基于经验证的现有 SOI 技术。 这些坚固的设备中无寄生闸流晶体管结构，可在所有正常工作条件下防闩锁。 驱动器包括欠电压、过电流检测且可由 CMOS 或低至 3.3V 的 LSTTL 兼容信号控制。最大阻隔电压 600V 六个独立驱动器 通过 3.3V 逻辑控制 欠电压检测，带滞后 过电流检测 ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon International Rectifier

EiceDRIVER 3 相栅极驱动器 IC，

Infineon 3 相 600V MOSFET 和 IGBT 栅极驱动 IC 基于经验证的现有 SOI 技术。 这些坚固的设备中无寄生闸流晶体管结构，可在所有正常工作条件下防闩锁。 驱动器包括欠电压、过电流检测且可由 CMOS 或低至 3.3V 的 LSTTL 兼容信号控制。

最大阻隔电压 600V

六个独立驱动器

通过 3.3V 逻辑控制

欠电压检测，带滞后

过电流检测

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### EiceDRIVER™ 3 相栅极驱动 IC，InfineonInfineon 3 相 600V MOSFET 和 IGBT 栅极驱动 IC 基于经验证的现有 SOI 技术。 这些坚固的设备中无寄生闸流晶体管结构，可在所有正常工作条件下防闩锁。 驱动器包括欠电压、过电流检测且可由 CMOS 或低至 3.3V 的 LSTTL 兼容信号控制。最大阻隔电压 600V 六个独立驱动器 通过 3.3V 逻辑控制 欠电压检测，带滞后 过电流检测 ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon International Rectifier

贸泽:
门驱动器 DRIVER IC

艾睿:
Driver 620V 0.42A 6-OUT High and Low Side Full Brdg Non-Inv 28-Pin DSO T/R

安富利:
MOSFET DRVR 0.42A 6-OUT Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 28-Pin DSO T/R

Verical:
Driver 0.42A 6-OUT High and Low Side Full Brdg 28-Pin DSO T/R

儒卓力:
**3Ph-IGBT-Dr 600V DSO-28 SMD **