74LVC1G86GW

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74LVC1G86GW概述

74系列逻辑芯片/74LVC1G86GW

逻辑类型Logic Type| 异或门 XOR Gate \---|--- 电路数Number of Circuits| 1 输入数Number of Inputs| 2 电源电压VccVoltage - Supply| 1.65V~5.5V 静态电流IqCurrent - Quiescent Max| 200uA 输出高,低电平电流Current - Output High, Low| -32mA,32mA 低逻辑电平Logic Level - Low| 0.7V~0.8V 高逻辑电平Logic Level - High| 1.7V~2V 传播延迟时间@Vcc,CLMax Propagation Delay @ V, Max CL| 1.9ns @ 5V,50pF Description & Applications| 2-input EXCLUSIVE-OR gate;FEATURES Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V High noise immunity Complies with JEDEC standard: JESD8-7 1.65 V to 1.95 V JESD8-5 2.3 V to 2.7 V JESD8-B/JESD36 2.7 V to 3.6 V. ESD protection: HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V MM JESD22-A115-A exceeds 200 V ±24 mA output drive VCC = 3.0 V CMOS low power consumption Latch-up performance exceeds 250 mA Direct interface with TTL levels Inputs accept voltages up to 5 V Multiple package options Specified from  −40 °C to +125 °C 描述与应用| 双输入异或门;特性 从1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围 高抗干扰 符合JEDEC标准: JESD8-7(1.65 V至1.95 V) JESD8-5(2.3 V到2.7 V) JESD8-B/JESD36(2.7 V至3.6 V) ESD保护: HBM JESD22-A114F超过2000 V MM JESD22-A115-A超过200 V ±24 mA输出驱动器(VCC=3.0 V) CMOS低功耗 闭锁性能超过250 mA 直接接口TTL水平 接受输入电压高达5 V 多种封装选项 -40°C至+125°C

74LVC1G86GW中文资料参数规格
封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-353

外形尺寸

封装 SOT-353

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买74LVC1G86GW
型号: 74LVC1G86GW
制造商: NXP 恩智浦
描述:74系列逻辑芯片/74LVC1G86GW

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