






745 系列 6.4 x 3.2 mm 0.063 W 1 kOhm ±5 % 50 V 表面贴装 贴片电阻阵列
1k 欧姆 ±5% 62.5mW 每元件功率 总线式 器网络,阵列 ±200ppm/°C 2512(6432 公制),凹陷,长边端子
得捷:
RES ARRAY 8 RES 1K OHM 2512
欧时:
Resistor SMD Thick Film x8 Array 5% 1K
立创商城:
1kΩ ±5%
艾睿:
Res Thick Film Array 1K Ohm 5% 0.5W1/2W ±200ppm/°C BUS Molded 10-Pin 2512 Concave SMD T/R
安富利:
Res Thick Film Array 1K Ohm 5% 1/2W ±200ppm/°C BUS Molded 10-Pin 2512 Concave SMD Plastic T/R
Chip1Stop:
Res Thick Film Array 1K Ohm 5% 0.5W1/2W ±200ppm/℃ BUS Molded 10-Pin 2512 Concave SMD T/R
Verical:
Res Thick Film Array 1K Ohm 5% 0.5W1/2W ±250ppm/C BUS 10-Pin 2512 Concave SMD Medical T/R
Online Components:
Res Thick Film Array 1K Ohm 5% 0.5W1/2W ±200ppm/°C BUS Molded 10-Pin 2512 Concave SMD T/R
Electro Sonic:
Res Thick Film Array 1K Ohm 5% 0.5W1/2W ±250ppm/°C BUS 10-Pin 2512 Concave SMD T/R
容差 ±5 %
额定功率 0.5 W
耗散功率 0.063 W
电阻 1 KΩ
额定电压 50 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 10
封装公制 6432
封装 2512
长度 6.4 mm
宽度 3.2 mm
高度 0.64 mm
封装公制 6432
封装 2512
工作温度 -55℃ ~ 125℃
温度系数 ±200 ppm/℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 DDR SDRAM,DRAM,MDDR, -
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
745C101102JP CTS 西迪斯 | 当前型号 | 当前型号 |
745C102102JP 西迪斯 | 完全替代 | 745C101102JP和745C102102JP的区别 |
745C101102JTR 西迪斯 | 完全替代 | 745C101102JP和745C101102JTR的区别 |
745C101102J 西迪斯 | 类似代替 | 745C101102JP和745C101102J的区别 |