768161510GP

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768161510GP概述

电阻器网络与阵列 BUSSED STD

51 欧姆 ±2% 100mW 每元件功率 总线式 15 器网络,阵列 ±200ppm/°C 16-SOIC(0.220",5.59mm 宽)


立创商城:
51Ω ±2%


贸泽:
电阻器网络与阵列 BUSSED STD


艾睿:
Res Thick Film NET 51 Ohm 2% 2.3W


768161510GP中文资料参数规格
技术参数

触点数 16

额定电压DC 50.0 V

容差 ±2 %

额定功率 2.3 W

电阻 51 Ω

阻值偏差 ±2 %

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

长度 11.2 mm

宽度 5.59 mm

高度 1.41 mm

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 -

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买768161510GP
型号: 768161510GP
制造商: CTS 西迪斯
描述:电阻器网络与阵列 BUSSED STD
替代型号768161510GP
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768161510GP和768161510G的区别

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