71V25761S166PFGI

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71V25761S166PFGI概述

静态随机存取存储器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 静态随机存取存储器

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 4.5Mb 128K x 36 Parallel 166MHz 3.5ns 100-TQFP


得捷:
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP


贸泽:
静态随机存取存储器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 静态随机存取存储器


安富利:
SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 3.5ns 100-Pin TQFP


Verical:
SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 3.5ns 100-Pin TQFP


71V25761S166PFGI中文资料参数规格
技术参数

存取时间 3.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TQFP-100

外形尺寸

封装 TQFP-100

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买71V25761S166PFGI
型号: 71V25761S166PFGI
制造商: Integrated Device Technology 艾迪悌
描述:静态随机存取存储器 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 静态随机存取存储器
替代型号71V25761S166PFGI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

71V25761S166PFGI

Integrated Device Technology 艾迪悌

当前型号

当前型号

IS61LPS12836A-200TQLI

Integrated Silicon SolutionISSI

功能相似

71V25761S166PFGI和IS61LPS12836A-200TQLI的区别

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